[发明专利]一种晶硅太阳电池PECVD色差片去膜重镀的返工工艺

摘要

本发明公开了一种晶硅太阳电池PECVD色差片去膜重镀的返工工艺，其包括去膜清洗、管式PECVD镀膜、丝网印刷和烧结步骤；所述去膜清洗的具体分步骤为HF去膜、水洗1、HCl酸洗、水洗2、HF酸洗、水洗3、水洗4、水洗5和干燥；除水洗5分步骤外，其余各酸洗和水洗分步骤均需鼓泡。本发明改进了传统返工方法，减少了制绒、扩散以及刻蚀等步骤，工序少，耗时短，降低了生产成本。返工后的硅片表面干净，电池片的转换效率和合格率接近正常水平，外观正常，未产生花片。

主权项

一种晶硅太阳电池PECVD色差片去膜重镀的返工工艺，其特征在于，包括去膜清洗、管式PECVD镀膜、丝网印刷和烧结步骤；所述去膜清洗的具体分步骤为HF去膜、水洗1、HCl酸洗、水洗2、HF酸洗、水洗3、水洗4、水洗5和干燥；除水洗5分步骤外，其余各酸洗和水洗分步骤均需鼓泡。