[发明专利]集成电路的接触孔制造方法

摘要

本发明提供一种集成电路的接触孔制造方法，包括在集成电路的衬底上形成N型重掺杂区和P型重掺杂区；在所述集成电路上淀积介质层，并利用光刻工艺和蚀刻工艺在所述N型重掺杂区和P型重掺杂区上分别形成接触孔；对所述N型重掺杂区和P型重掺杂区上形成的接触孔表面注入三族元素离子；在所述N型重掺杂区和P型重掺杂区上形成的接触孔中形成钛金属层，并通过第一快速热退火工艺在所述接触孔中生成金属硅化物。本发明提供的技术方案能够降低接触孔的制造成本。

主权项

一种集成电路的接触孔制造方法，其特征在于，包括：在集成电路的衬底上形成N型重掺杂区和P型重掺杂区；在集成电路上淀积介质层，并利用光刻工艺和蚀刻工艺在所述N型重掺杂区和P型重掺杂区上分别形成接触孔；对所述N型重掺杂区和P型重掺杂区上形成的接触孔表面注入三族元素离子；其中，注入的所述三族元素离子浓度为1E14～1E15原子/平方厘米；在所述N型重掺杂区和P型重掺杂区上形成的接触孔中形成钛金属层，并通过第一快速热退火工艺在所述接触孔中生成金属硅化物；所述在集成电路的底衬上形成N型重掺杂区和P型重掺杂区包括：在集成电路上完成N型重掺杂和P型重掺杂，采用第二快速热退火工艺激活N型重掺杂离子和P型重掺杂离子，以形成N型重掺杂区和P型重掺杂区；在所述集成电路上淀积介质层之后，利用光刻工艺和蚀刻工艺在所述N型重掺杂区和P型重掺杂区上分别形成接触孔之前还包括：采用高温回流工艺再次激活N型重掺杂离子和P型重掺杂离子；对所述N型重掺杂区和P型重掺杂区上形成的接触孔表面注入三族元素离子之后，在所述N型重掺杂区和P型重掺杂区形成的接触孔中形成钛金属层之前还包括：对所述接触孔表面进行第三快速热退火工艺处理。