[发明专利]绝缘体上硅CMOS技术的单粒子瞬变和翻转缓解无效
| 申请号： | 201310295890.9 | 申请日： | 2013-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN103546147A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | E·坎农;S·拉巴;J·麦克勒 | 申请（专利权）人： | 波音公司 |
| 主分类号： | H03K19/20 | 分类号： | H03K19/20 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民;陆惠中 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及绝缘体上硅CMOS技术的单粒子瞬变和翻转缓解。提供缓解绝缘体上硅（SOI）互补金属氧化物半导体（CMOS）集成电路中辐射引起的单粒子效应（SEE）的电路和方法。由主逻辑门响应输入，生成主逻辑输出。如果不存在SEE，由冗余逻辑门响应输入，生成冗余逻辑输出，该冗余逻辑门复制主逻辑输出。由交错C门生成交错C门输出，该交错C门输出在主逻辑输出和冗余逻辑输出匹配时模拟反相器输出，并且在SEE过程中在主逻辑输出和冗余逻辑输出不匹配时不改变其输出。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 cmos 技术 粒子 翻转 缓解 | ||
【主权项】：
缓解绝缘体上硅（SOI）互补金属氧化物半导体（CMOS）集成电路中辐射引起的单粒子效应（SEE）的方法，所述方法包括：由主逻辑门响应输入，生成主逻辑输出；如果不存在SEE，由冗余逻辑门响应所述输入，生成冗余逻辑输出，所述冗余逻辑门复制所述主逻辑输出；和由交错C门输出交错C门输出，所述交错C门输出在所述主逻辑输出匹配所述冗余逻辑输出时模拟反相器输出，并且在所述SEE过程中在所述主逻辑输出和所述冗余逻辑输出不匹配时不改变输出。
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