[发明专利]基于SiGe BiCMOS的宽带射频芯片静电保护电路

摘要

本发明公开了一种基于SiGe BiCMOS的宽带射频芯片静电保护电路，主要解决现有技术占用面积大及引入寄生电容大的缺点。其包括位于宽带射频输入输出端口的两个集成衬底静电放电二极管D1、D3和位于宽带射频输入输出端口的两个集成N阱静电放电二极管D2、D4。该四个静电放电二极管D1、D2、D3、D4的阴阳极掺杂区及金属接触条均采用梯型叉指结构，外围填充有多晶硅材料以进行自身隔离，且二极管D2、D4的下方设有N型埋层和N型外延层，以减小寄生效应。本发明电路具有结构简单，面积小，寄生电容小，且不增加额外工艺成本的优点，可应用于宽带射频芯片I/O口的静电防护中。

主权项

一种基于SiGe BiCMOS的宽带射频芯片静电保护电路，包括：集成衬底静电放电ESD二极管，其位于宽带射频输入输出端口，用于释放负向瞬态静电放电ESD脉冲事件发生时所产生的输入输出端口与接地端口之间的大电流；集成N阱静电放电ESD二极管，其位于宽带射频输入输出端口，用于释放正向瞬态静电放电ESD脉冲事件发生时所产生的输入输出端口与电源端口之间的大电流；其特征在于：所述的集成衬底静电放电ESD二极管，由1个或多个衬底静电防护ESD二极管组成，每个二极管的阴极阳极掺杂区及金属接触条均采用梯型叉指结构；二极管的外围填充有多晶硅材料，以对二极管自身进行隔离；所述的集成N阱静电放电ESD二极管，由1个或多个N阱静电防护ESD二极管组成，每个二极管的阴极阳极掺杂区及金属接触条均采用梯形叉指型结构；二极管的外围填充有多晶硅材料，以对二极管自身进行隔离，二极管的下方设有N型埋层和N型外延层，以减小二极管的寄生效应。