[发明专利]ESD保护电路有效
申请号: | 201310306060.1 | 申请日: | 2013-07-19 |
公开(公告)号: | CN103811485B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 赖大伟;H·莱维;林盈彰 | 申请(专利权)人: | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/04;H01L23/60 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人: | 程伟,王锦阳 |
地址: | 新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明揭露一种ESD保护电路,及一种装置,包括基板,定义有装置区域,其特征在于,该装置区域具有至少具有第一及第二晶体管的ESD保护电路,其特征在于,各该晶体管包括栅极,具有第一侧及第二侧;第一扩散区域,位于邻近该栅极的该第一侧的该装置区域中;第二扩散区域,位于远离该栅极的该第二侧的该装置区域中;以及漂移隔离区域,设置于该栅极与该第二扩散区域间;第一装置阱,包围该装置区域,第二装置阱,设置在该第一装置阱内;漂移阱,包围该第二扩散区域其特征在于,该漂移阱的边缘不延伸到该栅极下方并远离沟道区域;以及漏极阱,设置在该第二扩散区域下方及该漂移阱内。 | ||
搜索关键词: | esd 保护 电路 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,包括:基板,定义有装置区域,该装置区域包括至少具有第一及第二晶体管的ESD保护电路,其特征在于,各该些晶体管包括:栅极,具有第一侧及第二侧;第一扩散区域,位于邻近该栅极的该第一侧的该装置区域中;第二扩散区域,位于远离该栅极的该第二侧的该装置区域中,并由该第一晶体管及该第二晶体管所共有,其特征在于,该第一及第二扩散区域包括第一极性类型的掺杂物;以及漂移隔离区域,设置于该栅极与该第二扩散区域之间;第一装置阱,包围该装置区域;第二装置阱,设置于该第一装置阱内;漂移阱,包围该第二扩散区域,其特征在于,该漂移阱的边缘不延伸到该栅极下方并远离沟道区域;以及漏极阱,具有该第一极性类型的掺杂物,并设置于该第二扩散区域下方及该第一装置阱内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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