[发明专利]VDMOS及其制造方法

摘要

本发明公开了一种VDMOS及其制造方法。该方法包括在衬底上形成氧化层、各P+区域、N‑区域、栅氧化层和栅极的流程，其中，还包括在衬底上对应有源区中P+区的位置上方形成保护层，其中，所述保护层位于所述栅极和所述有源区中P+区之间。本发明利用VDMOS的已有制备工艺形成对有源区中P+区的保护层，以减少栅极通过有源区中P+区而产生的栅源漏电现象。

主权项

一种垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管VDMOS的制造方法，包括在衬底上形成氧化层、各P+区域、N‑区域、栅氧化层和栅极的流程，其特征在于，还包括：在衬底上对应有源区中P+区的位置上方形成保护层，其中，所述保护层位于所述栅极和所述有源区中P+区之间；在衬底上对应有源区中P+区的位置上方形成保护层包括：在衬底上形成氧化层，并通过构图工艺对所述氧化层进行刻蚀，在所述有源区中P+区的位置上方保留氧化层，作为所述保护层；在衬底上形成氧化层、各P+区域、N‑区域、栅氧化层和栅极的流程包括：在所述衬底上形成氧化层，采用光刻胶构图工艺刻蚀所述氧化层，以形成具有第一厚度和第二厚度的氧化层，所述第一厚度的位置对应于待形成P+区域的位置，剩余的氧化层具有第二厚度，且所述第一厚度小于所述第二厚度；在所述衬底上注入P+离子，以在待形成P+区域的位置形成各P+区域，所述各P+区域至少包括有源区中P+区；去除剩余的光刻胶；采用光刻胶构图工艺对所述氧化层进行刻蚀，以露出对应于N‑区域的元胞区，且保留所述有源区中P+区上方的氧化层和光刻胶，所述有源区中P+区上方的氧化层作为所述保护层；在所述衬底上注入N‑离子，以在所述元胞区形成N‑区域；去除剩余的光刻胶；在所述衬底上生长栅氧化层；在所述衬底上形成栅极膜层，并采用光刻胶构图工艺形成栅极的图案。