[发明专利]绝缘栅双极晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201310307187.5 | 申请日： | 2013-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN104299990A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 钟圣荣;王根毅;邓小社 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法，所述绝缘栅双极晶体管形成在半导体衬底上，包括位于半导体衬底表面的MOS结构和位于半导体衬底底部的PN结，若干位于半导体衬底底部的槽型结构，所述槽型结构贯穿半导体衬底底部的PN结的P区和N区，并将所述PN结分为多个区域；其中，所述槽型结构包括位于半导体衬底底部的金属块和位于金属块和半导体衬底之间的氧化层，金属块中的金属的功函数小于半导体衬底材料的功函数。所述槽型结构使得半导体衬底处PN结中电子电流和空穴电流的流向分布发生改变。于是可以通过调节槽型结构来调节半导体衬底内载流子的分布，从而优化绝缘栅双极晶体管的导通压降与关断时间的折衷关系。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极晶体管，所述绝缘栅双极晶体管形成在半导体衬底上，包括位于半导体衬底表面的MOS结构和位于半导体衬底底部的PN结，其特征在于，还包括：若干位于所述半导体衬底底部的槽型结构，所述槽型结构贯穿所述半导体衬底底部的PN结的P区和N区，并将所述PN结分为多个区域；其中，所述槽型结构包括位于所述半导体衬底底部的金属块和位于所述金属块和所述半导体衬底之间的氧化层，所述金属块中的金属的功函数小于所述半导体衬底材料的功函数。
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