[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201310310000.7 | 申请日: | 2013-07-23 |
公开(公告)号: | CN103413811A | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 李田生;郭建;谢振宇 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种阵列基板及其制造方法,以及设有该阵列基板的显示装置,属于显示技术领域。解决了现有技术中GOA区域的边缘会形成向下开口的倒角,影响GOA区域中源漏极金属与栅极金属之间电连接的稳定性的技术问题。该阵列基板,包括显示区域和GOA区域,在所述GOA区域,从下至上依次形成有栅极金属、栅绝缘层、有源层、过渡层、源漏极金属,且开设有贯穿所述过渡层、所述有源层和所述栅绝缘层的过孔,所述源漏极金属通过所述过孔与所述栅极金属电连接;其中,所述过渡层的刻蚀速率大于所述有源层的刻蚀速率。本发明应用于OLED面板、液晶电视、液晶显示器、手机、平板电脑等显示装置。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括显示区域和GOA区域,其特征在于:在所述GOA区域,从下至上依次形成有栅极金属、栅绝缘层、有源层、过渡层、源漏极金属,且开设有贯穿所述过渡层、所述有源层和所述栅绝缘层的过孔,所述源漏极金属通过所述过孔与所述栅极金属电连接;其中,所述过渡层的刻蚀速率大于所述有源层的刻蚀速率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的