[发明专利]用于测试MIM电容的半导体结构

摘要

一种用于测试MIM电容的半导体结构，分为多层，包括：第一金属层，至少包括第一电路区和第二电路区；第二金属层，以一介质层为间隔设置于第一金属层下方，与第二电路区电连接；上极板，设于介质层中临近于第一金属层的位置，与第一电路区电连接；下极板，与上极板上下相对地设于介质层中临近于第二金属层的位置，与上极板以一绝缘层隔开，与第二电路区电连接；该结构形成于一P型衬底上，第二金属层与半导体衬底以第一电路通路电连接，以在绝缘层中有漏电区时形成一自上极板到半导体衬底的第二电路通路。其可准确地检测出MIM电容是否存在漏电区域；制备简单、成本低；尤其适合对大面积MIM电容的漏电区域进行快速定位。

主权项

一种用于测试MIM电容的半导体结构，分为多层，包括：第一金属层，其至少包括第一电路区和第二电路区；第二金属层，其以第一介质层为间隔设置于所述第一金属层下方，并与所述第二电路区电连接；上极板，设于所述第一介质层中临近于所述第一金属层的位置，所述上极板与所述第一电路区电连接；下极板，与所述上极板上下相对地设于所述第一介质层中临近于所述第二金属层的位置，并与所述上极板以一绝缘层隔开，所述下极板与所述第二电路区电连接；其中，所述半导体结构形成于一P型半导体衬底上，所述第二金属层与所述半导体衬底以第一电路通路电连接，以在所述绝缘层中有漏电区时形成一自所述上极板到所述半导体衬底的第二电路通路，所述第二电路通路包括所述第一电路通路。