[发明专利]输出缓冲器及半导体装置在审
| 申请号： | 201310315660.4 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103580674A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 宫崎真裕;桥立修一 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 袁波;李浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及输出缓冲器及半导体装置。本发明的目的在于，提供一种能使过冲及下冲减低，并且能与所使用的电源电压的电压值无关地生成不会产生波形失真的输出信号的输出缓冲器及半导体装置。在设置于根据输入信号送出与电源电压对应的电压值的第一晶体管与输出线之间的电压缓和用的第二晶体管的栅极端子，施加将该第二晶体管设定为导通状态而且跟踪电源电压使第二晶体管的栅极-源极间电压为固定的电源对应偏置电压。 | ||
| 搜索关键词： | 输出 缓冲器 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种输出缓冲器，响应于输入信号而经由输出线送出具有与电源电压对应的电压值的输出信号，所述输出缓冲器，其特征在于，具有：第一MOS晶体管，在源极端子施加所述电源电压，对栅极端子供给所述输入信号；第二MOS晶体管，漏极端子与所述输出线连接，在源极端子连接有所述第一MOS晶体管的漏极端子；以及偏置生成电路，生成一边根据所述电源电压而变化一边将所述第二MOS晶体管设为导通状态而且具有使所述第二MOS晶体管的栅极‑源极间电压为固定的电压值的偏置电压，并将其供给给所述第二MOS晶体管的栅极端子。
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