[发明专利]一种高容量储氢薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201310316724.2 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104342617A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 王艳艳;辛恭标;李伟;郑捷;李星国 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型的高容量储氢薄膜及其制备方法。储氢薄膜为有Pd覆盖层的MgxY100-x合金薄膜（其中10≤x≤90）。其制备方法为：以Mg和Y为靶材，在基体上通过磁控溅射共溅射的方法制备Mg-Y合金薄膜，并进一步在Mg-Y合金薄膜上溅射一层Pd层以保护Mg免遭氧化并催化氢的解离。实验结果表明：此方法制备的Pd/Mg78Y22薄膜不用活化即能获得1590.3mAh/g的电化学放电容量，显著高于纯镁薄膜的放电容量，并且具有良好的吸放氢动力学特性。合金薄膜在343K温度下，10分钟内达到完全放氢，表明Pd/Mg-Y薄膜在储氢材料方面，特别是作为镍氢电池的负极材料方面具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 容量 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高容量储氢薄膜，其特征在于，它为覆盖Pd层的Mg‑Y合金薄膜，Mg‑Y合金薄膜成分为MgxY100‑x，其中10≤x≤90，MgxY100‑x薄膜总厚度为100～500nm，Pd覆盖层厚度为5～20nm。
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