[发明专利]蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法在审
| 申请号： | 201310319674.3 | 申请日： | 2013-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN103571495A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 金俸均;朴弘植;李旺宇;文英慜;尹升好;崔永株;金相佑;李骐范;李大雨;曹三永 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司;株式会社东进世美肯 |
| 主分类号： | C09K13/06 | 分类号： | C09K13/06;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法。所述蚀刻剂组合物包括过硫酸铵((NH4)2S2O8)、基于唑的化合物、水溶性的胺化合物、含磺酸基团的化合物、含硝酸根的化合物、含磷酸根的化合物、含氯化物的化合物和剩余的水。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 组合 使用 制造 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】：
蚀刻剂组合物，包括：过硫酸铵(((NH4)2)S2O8)、基于唑的化合物、水溶性的胺化合物、含磺酸基团的化合物、含硝酸根的化合物、含磷酸根的化合物、含氯化物的化合物和剩余的水。
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