[发明专利]半导体器件的单粒子闭锁预防技术在审
| 申请号： | 201310320678.3 | 申请日： | 2013-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN103632711A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 杨家南;J·D·伯纳特;B·J·佳尼;T·W·里斯顿;H·V·范 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 郭思宇 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 发明涉及半导体器件的单粒子闭锁预防技术。处理半导体器件中的单粒子闭锁(SEL)的技术包括确定寄生硅控整流器(SCR)（500）在半导体器件的集成电路设计中的位置。在这种情况下，寄生SCR（500）包括寄生pnp双极结晶体管(BJT)和寄生npn BJT。该技术也包括将位于第一电源节点（VDD）和寄生pnp BJT的发射极之间的第一晶体管合并到集成电路设计中。第一晶体管(502)包括耦合到第一电源节点（VDD）的第一端子，耦合到寄生pnp BJT的发射极的第二端子，以及控制端子。第一晶体管(502)不位于pnp BJT的基极和第一电源节点之间。第一晶体管限定在SEL之后由寄生pnp BJT传导的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 粒子 闭锁 预防 技术 | ||
【主权项】：
一种处理半导体器件中的单粒子闭锁的方法，包括：确定寄生硅控整流器在半导体器件的集成电路设计中的位置，其中寄生硅控整流器包括寄生pnp双极结晶体管和寄生npn双极结晶体管；和将位于第一电源节点和寄生pnp双极结晶体管的发射极之间的第一晶体管合并到集成电路设计中，其中第一晶体管包括耦合到第一电源节点的第一端子、耦合到寄生pnp双极结晶体管的发射极的第二端子、以及控制端子,并且其中第一晶体管不位于pnp双极结晶体管的基极和第一电源节点之间，在此情况下第一晶体管限定在单粒子闭锁（SEL）之后由寄生pnp双极结晶体管传导的电流。
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