[发明专利]一种使用保护性含钇涂层涂敷半导体设备的方法

摘要

本发明涉及一种使用保护性含钇涂层涂敷半导体设备的方法。根据本发明，公开一种将特化氧化钇陶瓷材料应用到半导体处理设备的方法，所述特化氧化钇陶瓷可耐含卤素等离子体的腐蚀性。所述特化氧化钇陶瓷材料的一些实施例的电阻率已被改性，以降低其在半导体处理室中出现电弧的几率。

主权项

一种在用于半导体处理室内的物体表面提供喷涂陶瓷涂层的方法，所述喷涂陶瓷涂层表现出对含卤素等离子体的抗腐蚀性，并且表现出在1000V下测得的，大约为200℃下最大1011Ω·cm，50℃下最大1014Ω·cm的电阻率，从而降低等离子体在半导体处理室中出现电弧的几率，其中所述涂层是利用选自下列的技术来喷涂的：火焰喷涂、热喷涂、和等离子体喷涂，且其中所述涂层包含至少一种含钇固溶体，并且其中所述陶瓷涂层是由至少三种前驱体氧化物形成的，所述至少三种前驱体氧化物包括：含量从约40摩尔％至低于约100摩尔％的氧化钇、含量从约5摩尔％至约50摩尔％的氧化锆、和含量从约5摩尔％至高达约20摩尔％的氧化铪。