[发明专利]包括分布式二极管串的静电放电保护电路有效
申请号: | 201310325257.X | 申请日: | 2013-07-30 |
公开(公告)号: | CN103579225B | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | J·C·史密斯 | 申请(专利权)人: | 硅实验室股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 邢德杰 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本申请公开包括分布式二极管串的静电放电保护电路。集成电路包括第一端子和第二端子。集成电路还包括在第一端子和电源端子之间串联安排的第一多个二极管以及在第二端子和电源端子之间串联安排的第二多个二极管。集成电路还包括被配置成将第一多个二极管内的第一节点耦合至第二多个二极管内的第二节点的导体。第一节点位于第一多个二极管的第一二极管与第一多个二极管的最后一个二极管之间,而第二节点位于第二多个二极管的第一二极管与第二多个二极管的最后一个二极管之间。 | ||
搜索关键词: | 二极管 静电放电保护电路 集成电路 电源端子 二极管串 串联 节点耦合 导体 配置 申请 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路,包括:第一端子;第二端子;第一多个二极管,其被串联安排在所述第一端子与电源端子之间;第二多个二极管,其被串联安排在所述第二端子与所述电源端子之间;导体,其被配置成将所述第一多个二极管内的第一节点耦合至所述第二多个二极管内的第二节点,使得所述第一多个二极管仅在所述第一节点与所述第二节点之间电耦合至所述第二多个二极管,所述第一节点位于所述第一多个二极管的第一二极管与所述第一多个二极管的最后一个二极管之间,所述第二节点位于所述第二多个二极管的第一二极管与所述第二多个二极管的最后一个二极管之间;以及其中所述第一多个二极管和所述第二多个二极管中的至少一个包括锥形二极管串,所述锥形二极管串被串联安排且具有沿着所述锥形二极管串的长度的渐减的二极管尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的