[发明专利]一种基于III-V族氮化镓智能功率集成电路的实现方法

摘要

本发明公开了一种基于III-V族氮化镓智能功率集成电路的实现方法，本发明的半导体装置为采用III-V族半导体材料的高电子迁移率器件，通过一定的方法在利用SOI技术，将基于<111>晶向硅材料衬底的高耐压的GaN半导体器件和基于<100>晶向硅材料的低压器件进行单片功率集成的目的。该方法结构应用于基于不同材料的混合型智能功率集成电路。

主权项

一种基于III‑V族氮化镓智能功率集成电路的实现方法，其特征在于： GaN半导体材料制备的半导体器为宽禁带半导体材料器件，承受较高电压，可应用于高压电子器件领域； Si材料制备的半导体器件，承受电压能力较低，主要用于驱动的数字逻辑电路以及低压模拟电路； 所述的GaN半导体材料制备的半导体装置是基于<111>晶向衬底外延上制作的； 所述的Si半导体材料制备的半导体装置是基于<100>晶向衬底上制作的； 所述的基于<111>晶向衬底的材料与所述基于<100>晶向衬底的材料通过一定的方法键合集成。