[发明专利]一种液晶显示器、平面转换模式的阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 201310326466.6 | 申请日: | 2013-07-30 |
公开(公告)号: | CN103926752B | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 梁艳峰 | 申请(专利权)人: | 上海中航光电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 刘松 |
地址: | 201108 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种液晶显示器、平面转换模式的阵列基板及其制造方法,用以解决现有技术中的IPS模式的阵列基板不能同时实现既有较高的透过率,又能提高像素电极和公共电极与各自的预定位置之间的重合精度的问题。该阵列基板包括基板和位于所述基板表面的钝化层,还包括位于所述钝化层表面、且存在凹槽的第一有机膜;以及位于所述凹槽外的所述第一有机膜表面的公共电极和位于所述凹槽内的像素电极;其中,所述公共电极在所述钝化层表面的垂直投影区域和所述像素电极在所述钝化层表面的垂直投影区域不重合。 | ||
搜索关键词: | 一种 液晶显示器 平面 转换 模式 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种平面转换模式的阵列基板,包括:基板和位于所述基板表面的钝化层,其特征在于,所述阵列基板还包括:位于所述钝化层表面、且存在凹槽的第一有机膜;以及位于所述凹槽外的所述第一有机膜表面的公共电极和位于所述凹槽内的像素电极;其中,所述公共电极在所述钝化层表面的垂直投影区域和所述像素电极在所述钝化层表面的垂直投影区域不重合;位于所述第一有机膜上的第二有机膜,其中,所述第二有机膜覆盖所述像素电极并暴露所述公共电极。
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