[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效
| 申请号： | 201310329856.9 | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103413783A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 沈奇雨 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示领域，能够使得LTPS-TFT的两个低掺杂区的长度一致，保证了LTPS-TFT抑制漏电流的能力。该种阵列基板的制作方法，包括：利用掩膜板，在所述阵列基板上形成栅极金属层；利用所述掩膜板，控制曝光能量，使得曝光的特征尺寸大于所述栅极金属层的尺寸，以形成位于栅极金属层的两侧且长度相同的低掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：利用掩膜板，在所述阵列基板上形成栅极金属层；利用所述掩膜板，控制曝光能量，使得曝光的特征尺寸大于所述栅极金属层的尺寸，以形成位于栅极金属层的两侧且长度相同的低掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
