[发明专利]半导体封装件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310331676.4 | 申请日： | 2013-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN104347533B | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 王琇如;叶勇谊;方绪南 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56;H01L23/495;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括基板、数个芯片、封装体、贯穿部、导电元件及屏蔽层。基板包括接地部。芯片设于基板。封装体包覆芯片且具有上表面。贯穿部从封装体的上表面延伸至接地部，贯穿部隔离此些芯片。导电元件填入贯穿部内以电性连接接地部。屏蔽层形成于封装体的外侧面及上表面，且通过导电元件电性连接接地部。其中，导电元件具有数个孔洞，此些孔洞占导电元件的比例小于50％。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装件，包括：一基板，包括一接地部；数个芯片，设于该基板；一封装体，包覆所述芯片且具有一上表面；一贯穿部，从该封装体贯的该上表面延伸至该接地部，该贯穿部隔离所述芯片；一导电元件，填入该贯穿部内以电性电接该接地部；以及一屏蔽层，形成于该封装体的外侧面及该上表面，且通过该导电元件电性连接该接地部；其中，该导电元件具有数个孔洞，所述孔洞占该导电元件的比例小于50%。
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