[发明专利]一种SOI_MOSFET的热阻提取方法有效
| 申请号： | 201310339890.4 | 申请日： | 2013-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN103411997A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 卜建辉;李莹;毕津顺;李书振;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01N25/20 | 分类号： | G01N25/20 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SOI_MOSFET的热阻提取方法，该方法包括以下步骤：设计一种器件，所述器件的栅结构的两端都引出连线；在不同温度下测试所述栅结构的电阻，获得其电阻随温度变化的特性；在常温下，使所述器件处于工作状态，测试此时所述栅结构的电阻；将所述栅结构在常温工作状态下的电阻代入温度变化特性中，得到工作状态下器件的真实温度，进而求出热阻。与现有技术相比，采用本发明提供的技术方案具有如下优点：通过利用栅电阻的温度特性来提取器件的热阻，简单易行，避免了使用PIV设备带来成本过高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi_mosfet 提取 方法 | ||
【主权项】：
一种SOI MOSFET的热阻提取方法，该方法包括以下步骤：a)设计一种器件，所述器件的栅结构的两端（G1）和（G2）都引出连线；b)在不同温度下测试所述栅结构的电阻，获得其电阻随温度变化的特性；c)在常温下，使所述器件处于工作状态，测试此时所述栅结构的电阻；d)将所述栅结构在常温工作状态下的电阻代入步骤b）所得到的温度变化特性中，得到工作状态下器件的真实温度，进而求出热阻。
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