[发明专利]防间隔工艺与半导体结构有效
| 申请号： | 201310341624.5 | 申请日： | 2013-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN103633121A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 麦可·凯悦;理查德·豪斯利;安东·德维利尔斯 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 发明公开了一种防间隔工艺以及通过防间隔工艺所产生的半导体结构。所述防间隔工艺包含：(a)提供包含不均匀形状的阻绝层；(b)涂布靶层在所述阻绝层上；(c)提供多个防间隔沟槽于所述靶层与所述阻绝层之间；以及(d)将所述多个防间隔沟槽的至少一部份连接在一起，以隔离所述靶层的第一部份与所述靶层的第二部份。所述防间隔工艺不需要使用切割掩膜或任何其它工艺来切割目标特征，因而节省了成本并且避免复杂的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 间隔 工艺 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种防间隔工艺，其特征在于，包含：(a)提供包含一不均匀形状的一阻绝层；(b)涂布一靶层于所述阻绝层上；(c)提供多个防间隔沟槽于所述靶层与所述阻绝层之间；以及(d)将所述多个防间隔沟槽的至少一部份连接在一起，以隔离所述靶层的一第一部份与所述靶层的一第二部份。
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