[发明专利]一种用于减少硅通孔技术镀铜退火后空洞的添加剂有效
| 申请号： | 201310343223.3 | 申请日： | 2013-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN103397354B | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 王溯;于仙仙;马丽;李艳艳 | 申请（专利权）人： | 上海新阳半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C25D3/38 | 分类号： | C25D3/38;C25D5/50;C25D7/12 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 贾慧琴 |
| 地址： | 201616 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于减少硅通孔技术镀铜退火后空洞的添加剂，其中，该添加剂包含按质量百分比计0.05‑1%的分子量不同的季胺化聚乙烯亚胺及其衍生物中的一种或几种，以及1‑10%的平均分子量为200‑20000的聚乙二醇。添加剂配合甲基磺酸铜体系电镀液使用。甲基磺酸铜体系电镀液中按体积比计包含1‑5ml/L的该添加剂。甲基磺酸铜体系电镀液按质量体积比计包含铜离子50‑110g/L，甲基磺酸5‑50g/L，氯离子20‑80mg/L。电镀液还包含按体积比计0.5‑5ml/L的加速剂，5‑20ml/L的抑制剂以及5‑10ml/L的整平剂。本发明提供的用于减少硅通孔技术镀铜退火后空洞的添加剂，能够解决电镀铜高温退火后晶界间微空洞的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 减少 硅通孔 技术 镀铜 退火 空洞 添加剂 | ||
【主权项】：
一种用于减少硅通孔技术镀铜退火后空洞的添加剂，其特征在于，该添加剂包含按质量百分比计0.05‑1％的分子量不同的季胺化聚乙烯亚胺及其衍生物中的一种或几种，以及1‑10％的平均分子量为200‑20000的聚乙二醇；所述的季胺化聚乙烯亚胺的通式为：![]()
；根据聚乙烯亚胺的聚合度和分子中N原子数量的不同，分子量也不同；所述的添加剂配合甲基磺酸铜体系电镀液使用。
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