[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201310345075.9 | 申请日： | 2013-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN104347709B | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 廖晋毅;陈俊宇 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置，其包括至少二鳍状结构、栅极结构、至少二外延结构以及硅盖层。鳍状结构设置于基底上，且栅极结构覆盖鳍状结构。外延结构均设置于栅极结构的一侧，且各自直接接触各鳍状结构，其中外延结构间互相分离。硅盖层同时包覆外延结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：至少二鳍状结构，设置于一基底上；栅极结构，覆盖该些鳍状结构；至少二外延结构，均设置于该栅极结构的一侧，且各自直接接触各该鳍状结构，其中该些外延结构为互相分离；以及硅盖层，同时包覆该些外延结构，其中，相邻的硅盖层产生合并。
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