[发明专利]电容器布置和制造电容器布置的方法有效
申请号: | 201310345301.3 | 申请日: | 2013-08-09 |
公开(公告)号: | CN103579179B | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | D.博纳特 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01L21/02;H01L29/92 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 胡莉莉;刘春元 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及电容器布置和制造电容器布置的方法。在各种实施例中,电容器布置被提供,其可以包括衬底;多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域,其中第一掺杂区域用第一导电类型的掺杂剂掺杂而第二掺杂区域用相反于第一导电类型的第二导电类型的掺杂剂掺杂,并且其中多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域在衬底中被紧挨着彼此交替布置;被部署在多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域之上的电介质层;被部署在电介质层之上的电极;被电耦合到多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域的每个掺杂区域的第一端子;以及被电耦合到电极的第二端子。 | ||
搜索关键词: | 电容器 布置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种电容器装置,其包括:衬底;多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域,其中第一掺杂区域用第一导电类型的掺杂剂掺杂而第二掺杂区域用相反于第一导电类型的第二导电类型的掺杂剂掺杂,并且其中多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域在衬底中被紧挨着彼此交替布置;被部署在多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域之上的电介质层;被部署在电介质层之上的电极;以及被电耦合到多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域的每个掺杂区域的第一端子;以及被电耦合到电极的第二端子。
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