[发明专利]喷淋头以及气相沉积反应腔

摘要

本发明揭示了一种喷淋头，所述喷淋头用于向气相沉积的反应腔中气体反应区域输出反应气体，所述喷淋头至少包括第一源气体腔、冷却腔和离子化腔，所述第一源气体腔用于向所述气体反应区域输出第一源气体，所述离子化腔用于向所述气体反应区域输出离子化的第二源气体。本发明还提供一种包含上述喷淋头的气相沉积反应腔。本发明提供的喷淋头的所述离子化腔将所述第二源气体进行离子化，提高所述第二源气体的离子化效率，可以降低所述气体反应区域的温度，使得衬底的温度降低，从而提高气相沉积的效率、降低制造成本、提高LED芯片的良率。

主权项

一种用于气相沉积的反应腔的喷淋头，所述反应腔包括气体反应区域，所述喷淋头邻近所述气体反应区域设置，所述喷淋头用于向所述气体反应区域输出反应气体，所述喷淋头至少包括第一源气体腔和冷却腔，所述第一源气体腔内通入第一源气体；其特征在于：所述喷淋头还包括一离子化腔，所述第一源气体腔设置在所述喷淋头背离所述气体反应区域的一侧，所述离子化腔设置在所述喷淋头面向所述气体反应区域的一侧，所述离子化腔内通入第二源气体，以对所述第二源气体进行离子化，所述离子化腔与所述气体反应区域之间设置有出气通道，所述离子化腔与所述气体反应区域之间通过所述出气通道连通，所述第一源气体腔至少与一第一气管连通，所述第一气管穿过所述冷却腔和离子化腔，并连通所述气体反应区域；其中，所述第二源气体的分解温度高于所述第一源气体的分解温度。