[发明专利]嵌入式存储元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种嵌入式存储组件及其制造方法，该嵌入式存储组件包括栅极结构位于衬底的晶胞区上。源极区与漏极区分别位于晶胞区的栅极结构的两侧的衬底中。第一接触窗插塞位于衬底上，与源极区接触。第二接触窗插塞位于衬底上，与漏极区接触。第一接触窗插塞的顶面高度低于第二接触窗插塞的顶面高度。介电层在第一接触窗插塞以及第二接触窗插塞周围，且介电层中具有凹陷，裸露出第一接触窗插塞。填充层位于凹陷中。导体层位于衬底上，导体层与第二接触窗插塞接触，且导体层通过填充层与第一接触窗电性隔绝。利用移除位于源极区上的部分接触窗插塞，于形成的凹陷中回填填充层隔绝，可以省去形成介层窗的步骤，且可免除介层窗与接触窗叠对的问题。

主权项

一种嵌入式存储元件，其特征在于包括：衬底，所述衬底包括晶胞区；多个栅极结构，位于所述衬底的所述晶胞区上，其中每个所述栅极结构的顶部包括掩膜层；源极区与漏极区，分别位于所述晶胞区的所述多个栅极结构的两侧的所述衬底中；第一接触窗插塞，位于在所述多个栅极结构之间的所述衬底上，与所述源极区接触，其中所述第一接触窗插塞的顶面高度高于所述掩膜层的底面高度；第二接触窗插塞，位于在所述多个栅极结构之间的所述衬底上，与所述漏极区接触，其中所述第一接触窗插塞的顶面高度低于所述第二接触窗插塞的顶面高度；介电层，在所述第一接触窗插塞以及所述第二接触窗插塞周围，且所述介电层中具有一凹陷，裸露出所述第一接触窗插塞与所述掩膜层；填充层，位于所述凹陷中；以及导体层，位于所述衬底上，所述导体层与所述第二接触窗插塞接触，且所述导体层通过所述填充层与所述第一接触窗电性隔绝。