[发明专利]应用于主从设备的通信装置

摘要

本发明公开了一种应用于主从设备的通信装置，包括一个主设备、编号1至M的M个从设备和编号1至2M的2M个N沟道金属氧化物半导体场效应管MOSFET；且针对第i从设备，第2i‑1个N沟道MOSFET的第一端分别与主设备的串行时钟线SCL接口和电阻R1的一端相连，第二端与第i从设备的SCL接口相连，第三端与主设备的第i使能控制接口相连；第2i个N沟道MOSFET的第一端分别与主设备的串行数据线SDA接口和电阻R2的一端相连，第二端与第i从设备的SDA接口相连，第三端与主设备的第i使能控制接口相连；电阻R1和电阻R2的另一端均与第一直流电源相连。通过本发明中的应用于主从设备的通信装置，可以实现对于只具有一个TWI接口的主设备与多个地址相同的从设备进行通信。

主权项

一种应用于主从设备的通信装置，其特征在于，包括：一个主设备、编号1至M的M个从设备和编号1至2M的2M个N沟道金属氧化物半导体场效应管MOSFET；针对第i从设备，1≤i≤M：第2i‑1个N沟道MOSFET的第一端分别与所述主设备的串行时钟线SCL接口和电阻R1的一端相连，第二端与所述第i从设备的SCL接口相连，第三端与所述主设备的第i使能控制接口相连；第2i个N沟道MOSFET的第一端分别与所述主设备的串行数据线SDA接口和电阻R2的一端相连，第二端与所述第i从设备的SDA接口相连，第三端与所述主设备的第i使能控制接口相连；所述电阻R1和电阻R2的另一端均与第一直流电源相连；其中，所述M、i均为自然数，所述SCL接口和SDA接口均属于两线式串行接口TWI，且所述第一直流电源为所述主设备的工作电源；其中，所述装置还包括编号1至M的M个电阻R3；针对第i个电阻R3,1≤i≤M:所述第i个电阻R3的一端与所述第i使能控制接口、第2i‑1个N沟道MOSFET的第三端和第2i个N沟道MOSFET的第三端的公共端相连，另一端接地。