[发明专利]半导体结构在审

专利信息
申请号: 201310356743.8 申请日: 2013-08-15
公开(公告)号: CN104347682A 公开(公告)日: 2015-02-11
发明(设计)人: 谢庆堂;郭士祯;徐佑铭 申请(专利权)人: 颀邦科技股份有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国台湾新竹科学*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明是有关于一种半导体结构,其具有第一角隅,该半导体结构包含有载体、第一保护层、第二保护层以及第三保护层,该载体具有载体表面,该载体表面具有保护层设置区,该第一保护层设置于该保护层设置区,该第一保护层具有第一表面,该第一表面具有第一设置区、第一抗应力区及第一显露区,该第一抗应力区位于该第一设置区的角隅,该第二保护层设置于该第一设置区,该第二保护层具有第二表面,该第二表面具有第二设置区、第二抗应力区及第二显露区,该第二抗应力区位于该第二设置区的角隅,该第三保护层设置于该第二设置区,该第一抗应力区及该第二抗应力区位于该第一角隅,且该第一抗应力区的面积不小于该第二抗应力区的面积。
搜索关键词: 半导体 结构
【主权项】:
一种半导体结构,其特征在于其具有第一角隅及第二角隅,该半导体结构还包含:载体,其具有载体表面,该载体表面具有保护层设置区及位于该保护层设置区外侧的保护层显露区;第一保护层,其设置于该保护层设置区,该第一保护层具有第一表面,该第一表面具有第一设置区、第一抗应力区及位于该第一设置区及该第一抗应力区外侧的第一显露区,该第一抗应力区位于该第一设置区的角隅;第二保护层,其设置于该第一设置区,且该第二保护层显露该第一抗应力区及该第一显露区,该第二保护层具有第二表面,该第二表面具有第二设置区、第二抗应力区及位于该第二设置区及该第二抗应力区外侧的第二显露区,该第二抗应力区位于该第二设置区的角隅;以及第三保护层,其设置于该第二设置区,且该第三保护层显露该第二抗应力区及该第二显露区,该第一抗应力区及该第二抗应力区位于该第一角隅,且该第一抗应力区的面积不小于该第二抗应力区的面积。
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