[发明专利]真空处理装置的运转方法有效
申请号: | 201310363018.3 | 申请日: | 2013-08-20 |
公开(公告)号: | CN104078382B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 川口道则;井上智己;末光芳郎;野木慶太 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 许海兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提高吞吐率或者试样的处理效率。具备张数判定工序,判定在任意的一张晶片从所述盒搬出之前在搬送路径上存在的搬送中的所述晶片的张数是否为规定的值以下;剩余处理时间判定工序,判定在所处理的预定的真空搬送容器内存在的所述晶片的剩余处理时间与在所述搬送路径上存在的搬送中的所述晶片的处理时间的合计是否为规定的值以下;以及搬送顺序跳过工序,在不满足所述张数判定工序或者所述剩余处理时间判定工序的条件的情况下,针对沿着所述搬送顺序比所述任意的一张晶片后面的所述晶片实施所述张数判定工序以及所述剩余处理时间判定工序,将最初满足了这些工序的条件的所述晶片替换所述任意的一张晶片而重新决定为接下来从所述盒搬出的晶片。 | ||
搜索关键词: | 真空 处理 装置 运转 方法 | ||
【主权项】:
一种真空处理装置的运转方法,其中所述真空处理装置具备:在其上载置在内部能够收纳多张晶片的盒的多个盒台、在位于真空容器的内部的处理室内配置所述晶片并处理该晶片的多个真空处理容器、以及在所述多个盒中的某一个与所述多个真空处理容器之间的搬送路径上搬送所述晶片的至少一个搬送机器人,该真空处理装置依照预先确定的搬送顺序将所述多个晶片依次从所述盒中的某一个搬送而搬送到所述多个真空处理容器中的预先确定的1个来进行处理,所述真空处理装置的运转方法的特征在于,具备:张数判定工序,判定在所述多个晶片中的任意的一张从所述盒搬出之前在所述盒与处理该晶片的预定的所述真空处理容器之间的所述搬送路径上存在的搬送中的所述晶片的张数是否小于等于规定的值;剩余处理时间判定工序,判定在所述处理的预定的所述真空处理容器内存在的所述晶片的剩余处理时间与在所述搬送路径上存在的搬送中的所述晶片的处理时间的合计是否小于等于规定的值;以及搬送顺序跳过工序,在不满足所述张数判定工序或者所述剩余处理时间判定工序的条件的情况下,针对沿着所述搬送顺序比所述任意的一张晶片后面的所述晶片实施所述张数判定工序以及所述剩余处理时间判定工序,将最初满足了这些工序的条件的所述晶片替换为任意的一张所述晶片而重新决定为接下来从所述盒搬出的晶片,将所述重新决定的所述晶片从收纳了该晶片的所述盒搬送并搬送到所述预先确定的真空处理容器来实施处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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