[发明专利]电熔丝结构及其使用方法有效
| 申请号： | 201310365603.7 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104425446B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 朱志炜 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电熔丝结构及其使用方法。其中，电熔丝结构包括导电层以及导电层下方的多晶硅层；所述多晶硅层包括掺杂有P型离子的第一区域和掺杂有N型离子的第二区域，所述第一区域与第二区域相邻设置，且导电层的阴极投影位于所述第一区域内，阳极投影位于所述第二区域内。上述技术方案中，所述多晶硅层相当于一个PN结。使用时，所述多晶硅层的第一区域连接电源负极，而第二区域连接电源正极。信息写入阶段，短时间的较小电压便可熔断导电层，增加导电层电阻；而在所述导电层熔断后的信息读取阶段，1V左右电压未达到PN结的反向击穿电压，从而在信息读取阶段，多晶硅层均保持强大的电阻状态，进而确保信息读取的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 电熔丝 结构 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
一种电熔丝结构，包括：位于半导体衬底上的多晶硅层；位于所述多晶硅层上的导电层，所述导电层的两端部分别为阴极和阳极；其特征在于，所述多晶硅层包括掺杂有P型离子的第一区域和掺杂有N型离子的第二区域，所述第一区域与第二区域相邻设置，且导电层的阴极投影位于所述第一区域内，阳极投影位于所述第二区域内；所述多晶硅层包括位于两头的端部，以及位于两个端部之间的中间部，所述中间部的宽度小于所述端部的宽度；所述第一区域和所述第二区域分别占所述多晶硅层全部区域的一半；所述第一区域和所述第二区域之间形成的PN结位于所述中间部的中间；所述多晶硅层的厚度为
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