[发明专利]电气接点及其制造方法、电极、真空灭弧室、真空开闭设备有效
| 申请号： | 201310369363.8 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN103681016B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 菊池茂;森田歩;土屋贤治;藪雅人;中沢彰男 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立产机系统 |
| 主分类号： | H01H1/025 | 分类号： | H01H1/025;H01H33/664;H01H11/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 肖靖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明廉价且加工性佳，稳定地持续截断电流的降低效果。本发明的电气接点具备Cu母相和在上述Cu母相中分散的Cu和低融点金属的化合物，上述低融点金属在1000℃中的蒸气压为105Pa以上，上述化合物的低融点金属/Cu的值即化学当量组成比大于0.5，上述化合物的长度方向相对于接点面以90°±10°的角度取向。另外，电气接点的制造方法中，对具有上述Cu母相和上述化合物的混合物以减面率70～85%进行加热的同时进行拉伸，将以上述减面率减面后的面用作电气接点的接点面。 | ||
| 搜索关键词： | 电气 接点 及其 制造 方法 电极 真空 灭弧室 开闭 设备 | ||
【主权项】：
一种电气接点，具备Cu母相、和在上述Cu母相中分散的Cu和低融点金属的化合物，其特征在于，上述低融点金属在1000℃中的蒸气压为105Pa以上，上述化合物的低融点金属/Cu的值即化学当量组成比大于0.5，形成为针状的上述化合物的长度方向相对于接点面以90°±10°的角度取向，上述低融点金属是Se，对于上述化合物的90体积％以上，上述化合物的宽度方向的长度x为2～15μm，上述化合物的长度方向的长度y和上述宽度方向的长度x之比y/x为2～10，上述化合物在与接点面平行的任意的面中，以6个/0.01mm2以上的比例分散。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立产机系统，未经株式会社日立产机系统许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310369363.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种框架断路器储能传动装置
- 下一篇：一种针对电容器绕组元件的喷金方法及系统
