[发明专利]半导体发光器件有效
| 申请号： | 201310373406.X | 申请日： | 2009-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN103489971A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 丁换熙 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;董文国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体发光器件。所述半导体发光器件包括：包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层；在所述多个化合物半导体层下方的垫；在所述多个化合物半导体层上的电极层；和设置在所述多个化合物半导体层上并对应于所述垫的减震构件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：发光结构，其包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下方的第二导电半导体层、以及在所述第一和第二半导体层之间的有源层；设置在所述第一导电半导体层下方的垫；形成在所述第二导电半导体层的上表面的周边部分处的沟道层；设置在所述第二导电半导体层和所述沟道层上的电极层；设置在所述电极层上并对应于所述垫的减震构件；和形成在所述电极层和所述减震构件上的导电支撑构件，其中所述减震构件形成在所述电极层和所述导电支撑构件之间，其中所述沟道层形成在所述电极层和所述第二导电半导体层之间，其中所述沟道层的内部部分形成在所述发光结构上，所述沟道层的外部部分从所述发光结构的侧壁向外延伸，其中所述导电支撑构件接触所述电极层和所述减震构件，其中所述第一导电半导体层是N‑型半导体层，所述第二导电半导体层是P‑型半导体层。
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