[发明专利]半导体堆叠有效
| 申请号： | 201310375524.4 | 申请日： | 2013-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN103680606A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | D.克雷布斯;A.塞巴斯蒂安 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体堆叠（1），用于进行至少一个逻辑操作，包括布置成堆叠配置的相邻层(2、2’)，每层(2、2’)包括至少一个相变存储器单元，其中，在加热器电端子(T2、T9)和至少两个另外的加热器电端子(T5、T6)之间提供相变材料（3），在加热器电端子(T2、T9)和两个另外的加热器电端子(T5、T6)的每个之间的相变材料（3）可在至少两个可逆地转换的相态，非结晶相态(3’)和结晶相态(3”)，之一中操作，其中，在使用时所述半导体堆叠可被配置以通过每层(2、2’)中的每个加热器电端子(T2、T9)和两个另外的加热器电端子(T5、T6)的每个之间的相变材料（3）的相态(3”、3’)的电阻(R2、R8、R3、R9)来存储信息，且基于在相邻层(2、2’)中存储的信息来进行所述逻辑操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 堆叠 | ||
【主权项】：
一种半导体堆叠（1），用于进行至少一个逻辑操作，包括布置成堆叠配置的相邻层(2、2’)，其中每层(2、2’)包括至少一个相变存储器单元，其中，在加热器电端子(T2、T9)和至少两个另外的加热器电端子(T5、T6)之间提供相变材料（3），在加热器电端子(T2、T9)和两个另外的加热器电端子(T5、T6)的每个之间的相变材料（3）可在至少两个可逆地转换的相态，非结晶相态(3’)和结晶相态(3”)，之一中操作，其中，在使用时所述半导体堆叠可被配置以通过每层(2、2’)中的每个加热器电端子(T2、T9)和两个另外的加热器电端子(T5、T6)的每个之间的相变材料（3）的相态(3”、3’)的电阻(R2、R8、R3、R9)来存储信息，且基于在相邻层(2、2’)中存储的信息来进行所述逻辑操作。
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