[发明专利]具有冗余单元的半导体存储器件和系统及其方法在审
申请号: | 201310376429.6 | 申请日: | 2013-08-26 |
公开(公告)号: | CN103871450A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 金秀娥;金大贤;李宇镇 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C7/12 | 分类号: | G11C7/12;G11C8/08;G11C29/44 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 在一个实施例中,存储器件包括存储单元阵列、数据线选择电路和选择控制逻辑。存储单元阵列至少具有第一存储单元组和冗余存储单元组。第一存储单元组包括与第一数据线相关联的多个第一存储单元,冗余存储单元组包括与冗余数据线相关联的多个冗余存储单元。选择控制逻辑配置为检测是否正在访问第一存储单元组中的带缺陷存储单元,并且配置为控制数据线选择电路用经由冗余数据线的访问替换经由第一数据线的访问,使得用所述多个冗余存储单元之一来替换第一存储单元组中检测到的带缺陷存储单元。 | ||
搜索关键词: | 具有 冗余 单元 半导体 存储 器件 系统 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种存储器件,包括:存储单元阵列,所述存储单元阵列至少具有第一存储单元组和冗余存储单元组,所述第一存储单元组包括与第一数据线相关联的多个第一存储单元,所述冗余存储单元组包括与冗余数据线相关联的多个冗余存储单元;数据线选择电路;选择控制逻辑,配置为检测是否正在访问第一存储单元组中的带缺陷存储单元,并且配置为控制所述数据线选择电路用经由冗余数据线的访问替换经由第一数据线的访问,使得用所述多个冗余存储单元之一来替换第一存储单元组中检测到的带缺陷存储单元,所述选择控制逻辑包括:存储装置,配置为存储针对带缺陷存储单元的地址信息,所述地址信息包括对第一存储单元组中包括带缺陷存储单元的行和列进行标识的行地址信息和列地址信息;以及控制信号产生逻辑,配置为基于地址信息和接收到的地址来产生用于控制数据线选择电路的控制信号,所述接收到的地址标识存储单元阵列中正被访问的至少一个存储单元。
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