[发明专利]一种纳米水化硅酸钙超亲水性薄膜及其制备方法及应用有效
| 申请号： | 201310376606.0 | 申请日： | 2013-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN103449735A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 郭红霞;孙鹏志;崔素萍;王子明;张焱;秦振平 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C03C17/23 | 分类号： | C03C17/23;C04B41/50;C08J7/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种纳米水化硅酸钙超亲水性薄膜及其制备方法及应用，属于功能复合材料领域。将预处理的表面荷负电的基膜浸入含0.01mol/mL～0.1mol/mL可溶性钙盐的1.0～8.0g/L阳离子聚电解质溶液中，10～30min后，取出，用去离子水冲洗干净，再浸入含有0.01mol/mL～0.1mol/mL可溶性硅酸盐的1.0～8.0g/L阴离子聚电解质溶液中，10～30min后，取出，用去离子水充分洗净；重复上述操作1-3次，得到聚电解质纳米水化硅酸钙超亲水性薄膜。所得超亲水性薄膜具有超亲水性能和较好的防雾性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 水化 硅酸 亲水性 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种纳米水化硅酸钙超亲水性薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下具体步骤：将预处理的表面荷负电的基膜浸入含0.01mol/mL～0.1mol/mL可溶性钙盐的1.0～8.0g/L阳离子聚电解质溶液中，10～30min后，取出，用去离子水冲洗干净，再浸入含有0.01mol/mL～0.1mol/mL可溶性硅酸盐的1.0～8.0g/L阴离子聚电解质溶液中，10～30min后，取出，用去离子水充分洗净；重复上述操作1‑3次，得到聚电解质纳米水化硅酸钙超亲水性薄膜。
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