[发明专利]非易失性半导体存储器元件有效
| 申请号： | 201310377613.2 | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104425025B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 蔡政宏 | 申请（专利权）人： | 晶豪科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种非易失性半导体存储器元件，包含一存储器阵列，一步阶电压产生器以及一解码和电平转换电路。该存储器阵列包含多个存储器单元和电性连接至这些存储器单元的多条位线。该步阶电压产生器用以产生至少以两步阶方式变化的一步阶电压。该解码和电平转换电路用以选择这些位线中的其中一条，以将该步阶电压作为编程电压而施加至所选择的位线上。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储器 元件 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储器元件，包含：一存储器阵列，包含多个存储器单元和电性连接至这些存储器单元的多条位线；一步阶电压产生器，用以产生至少以两步阶方式变化的一步阶电压；以及一解码和电平转换电路，用以选择这些位线中的其中一条，以将该步阶电压作为编程电压而施加至所选择的位线上；其中该步阶电压产生器包含：一反相器，用以反相一电平切换信号以输出一反相信号；一第一晶体管，具有一源极以接收一第一电压源和一栅极以接收该反相信号；一第二晶体管，具有一源极以接收一第二电压源、一栅极以接收该电平切换信号和一漏极以电性连接至该第一晶体管的一漏极；一电平移位器，用以接收来自该第一晶体管的该漏极的电压作为电源供应电压，以产生一电平移位信号；以及一第三晶体管，具有一漏极以接收该第一电压源、一栅极以接收该电平移位信号和一源极以产生该步阶电压；其中，该步阶电压产生器响应于该电平切换信号而产生该步阶电压。
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