[发明专利]激光束热处理设备及其控制方法在审
| 申请号： | 201310378997.X | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104064459A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 秋秉权;朴喆镐;孙希根;金度烨 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;杨莘 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种激光束热处理设备，其包括衬底支承件、激光束辐照器、摄影单元以及位置调整器，其中衬底支承件被配置为支承形成有硅层的衬底，激光束辐照器被配置为将激光束辐照在硅层上，摄影单元被配置为获取与衬底的至少一部分有关的数据，位置调整器被配置为基于由摄影单元所获得的数据调整衬底支承件或激光束辐照器中的至少一个的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 激光束 热处理 设备 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种激光束热处理设备，包括：衬底支承件，被配置为支承衬底，在所述衬底上形成有硅层；激光束辐照器，被配置为将激光束辐照在所述硅层上；摄影单元，被配置为获取与所述衬底的至少一部分有关的数据；以及位置调整器，被配置为基于由所述摄影单元获得的数据调整所述衬底支承件或所述激光束辐照器中的至少一个的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
