[发明专利]发光装置及其制造方法在审
申请号: | 201310381486.3 | 申请日: | 2013-08-28 |
公开(公告)号: | CN103682038A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 山田孝夫;梅宅郁子;铃木亮 | 申请(专利权)人: | 日亚化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 樊建中 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种将发光元件倒装式安装于支撑体的发光装置的制造方法,能够实现具有高的光提取效率和高的可靠性双方的发光装置。准备构造体(7),该构造体(7)具有:基板(1)、形成在基板(1)上的半导体层(5)、形成在半导体层(5)上的p侧电极(6a)以及n侧电极(6b);准备在同一面上具有p侧布线(11a)以及n侧布线(11b)的支撑体(20);使用包含导电性粒子(21)以及第一树脂(22)的各向异性导电材料(23)将构造体(7)的p侧电极(6a)以及n侧电极(6b)和支撑体(20)的p侧布线(11a)以及n侧布线(11b)分别电连接,之后,从构造体(7)去除基板(1)后,形成发光元件(9’)。 | ||
搜索关键词: | 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光装置的制造方法,该发光装置将发光元件倒装式安装于支撑体,所述发光装置的制造方法包括:工序(a),准备构造体,该构造体具有:基板、形成在基板上的半导体层、形成在该半导体层上的p侧电极以及n侧电极;工序(b),准备在同一面上具有p侧布线以及n侧布线的支撑体;工序(c),使用包含导电性粒子以及第一树脂的各向异性导电材料,将所述构造体的p侧电极以及n侧电极和所述支撑体的p侧布线以及n侧布线分别电连接;和工序(d),从所述构造体去除所述基板,形成发光元件。
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