[发明专利]一种磁性存储轨道的制备方法、设备和磁性存储轨道有效
| 申请号： | 201310382143.9 | 申请日： | 2013-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN104425707B | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;韦竹林;赵俊峰;杨伟;杨凯;傅雅蓉 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司;复旦大学 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/02;H01L27/22 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人： | 郝传鑫,熊永强 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种磁性存储轨道的制备方法，包括通过刻蚀工艺在硅体上刻蚀出H个第一凹形空间，所述H为大于1的整数；在所述H个第一凹形空间中沉积一层磁性材料，并在沉积所述磁性材料后的第一凹形空间中填满硅材料，以构造硅与磁性材料的组合体；将所述组合体第一面所裸露的磁性材料刻蚀掉或者氧化为绝缘体，以得H个U形磁性存储轨道，其中，所述第一面为所述组合体包括的所述第一凹形空间的开口所在的面。相应地，本发明实施例还提供磁性存储轨道的制备设备和磁性存储轨道。本发明实施例可以提高制造磁性存储轨道的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 存储 轨道 制备 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种磁性存储轨道的制备方法，其特征在于，包括：通过刻蚀工艺在硅体上刻蚀出H个第一凹形空间，所述硅体为由二氧化硅Si02构成的硅体，所述H为大于1的整数；在所述H个第一凹形空间中沉积一层磁性材料，并在沉积所述磁性材料后的第一凹形空间中填满硅材料，以构造硅与磁性材料的组合体；将所述组合体第一面所裸露的磁性材料刻蚀掉或者氧化为绝缘体，以得H个U形磁性存储轨道，其中，所述第一面为所述组合体包括的所述第一凹形空间的开口所在的面。
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