[发明专利]一种集成电路寄生参数的粗糙边界面电荷密度提取方法

摘要

本发明属集成电路计算机辅助设计/电子设计自动化领域，具体涉及集成电路寄生参数提取方向中一种结合边界积分方程和随机法的导体或介质粗糙边界面电荷密度提取方法。其中包括，构造一个或多个球体包含全部待求边界，每个球体与区域边界相交为一个粗糙patch曲面；在每个半球面Γ和粗糙patch曲面围成的封闭曲面上应用特殊Green函数的边界元法进行求解。本发明属于局部性解法，可提取局部区域的电荷密度，而无需离散全芯片的导体和介质粗糙边界面；并具有随机法天然并行性的优势，易于实现大规模并行计算，解决纳米集成电路中全芯片级的互连线和介质粗糙边界面电荷密度问题。

主权项

一种集成电路寄生参数的粗糙边界面电荷密度提取方法，其特征是，结合边界积分方程方法和随机法，包括构造一个或多个球体包含全部待求边界，每个球体与区域边界相交为一个粗糙patch曲面；在区域外的半球面Γ和粗糙patch曲面构成的封闭曲面上应用特殊Green函数的边界元法进行求解；输入参数：区域边界的几何信息，区域边界上的电位分布函数u₀(x)，待求的边界S'，球体的个数n（n≥1），球体的半径a_i（i=1..n），每个半球面Γ上高斯积分点数N_g1，面元上高斯积分点数N_g2，采样路径数N_max，吸收边界厚度ε，最大球半径R_max；输出结果：待求边界S'上的面电荷密度；包括步骤：步骤1：构造n个半径分别为a_i的球体，每一个球体与边界相交为粗糙patch曲面S，patch曲面S的并集覆盖所有待求边界S'；步骤2：针对每一个半球面Γ和粗糙patch面S构成的封闭曲面，利用边界元法进行求解，得到patch面S上的面电荷密度；步骤3：逐一取出每个patch面S上属于待求边界S'的面电荷密度，即为最终待求边界S'上的面电荷密度。