[发明专利]部分耗尽绝缘体上硅器件结构

摘要

本发明提供了一种部分耗尽绝缘体上硅器件结构，包括：半导体衬底，包括依次自下至上依次层叠的底层衬底、绝缘区埋层以及上层衬底；器件有源区，位于所述上层衬底中，所述器件有源区具有体区、源区和漏区；栅极，横跨所述器件有源区上，所述体区位于所述栅极下方，所述源区和漏区分别位于所述栅极的两侧；体接触有源区，位于所述器件有源区的宽度方向一侧的所述上层衬底中，所述体接触有源区与所述漏区或所述源区通过一浅隔离区相隔绝，所述浅隔离区不与所述绝缘埋层相接触；其中，所述栅极与所述体接触有源区电气连接。在本发明提供的部分耗尽绝缘体上硅器件结构，能够提高部分耗尽绝缘体上硅动态阈值晶体管开启的均匀性。

主权项

一种部分耗尽绝缘体上硅器件结构，包括：半导体衬底，包括依次自下至上依次层叠的底层衬底、绝缘区埋层以及上层衬底；器件有源区，位于所述上层衬底中，所述器件有源区具有体区、源区和漏区；栅极，横跨所述器件有源区上，所述体区位于所述栅极下方，所述源区和漏区分别位于所述栅极的两侧；体接触有源区，位于所述器件有源区的宽度方向一侧的所述上层衬底中，所述体接触有源区与所述漏区或所述源区通过一浅隔离区相隔绝，所述浅隔离区不与所述绝缘埋层相接触；其中，所述栅极与所述体接触有源区电气连接。