[发明专利]用于处理衬底或衬底对的装置在审
| 申请号： | 201310387123.0 | 申请日： | 2011-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN103531438A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | P.林德纳;P-O.杭维尔 | 申请（专利权）人： | EV集团有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜荔南;王忠忠 |
| 地址： | 奥地利圣*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于处理衬底或衬底对的装置。本发明涉及用于处理衬底、尤其晶片（15）的一种装置，该装置具有至少一个预处理模块（9）、至少一个后处理模块（11）以及至少一个主处理模块（10），其中该预处理模块（9）和该后处理模块（11）作为该主处理模块（10）的闸是可开关的。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 衬底 装置 | ||
【主权项】：
用于处理衬底或衬底对的装置，具有至少一个预处理模块和至少一个后处理模块，所述预处理模块和所述后处理模块耦合到主处理模块，使得主处理模块定义用于相邻的预处理模块和/或相邻的后处理模块的真空密封的闸。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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