[发明专利]CIGS薄膜太阳能电池留Mo清边的方法有效
申请号: | 201310389178.5 | 申请日: | 2013-08-30 |
公开(公告)号: | CN104425645A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 王振华;陶尚辉;杨凯;刘昌念;谢建;高云峰 | 申请(专利权)人: | 深圳市大族激光科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518055 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明适用于CIGS薄膜太阳能电池加工领域,提供了一种CIGS薄膜太阳能电池加工中的留Mo清边的方法,包括以下步骤:将待清边的电池放置工作台上;机械刻刀移动到待清边的位置上方;所述机械刻刀受恒力驱使下降并匀速穿透待清边的电池的透明导电层和CIGS吸收层,其中,所述恒力小于所述机械刻刀穿透所述待清边的电池的MO层所需的力;所受恒力持续输出,使得所述机械刻刀的刀头正好与所述MO层的表面接触;所述待清边的电池与所述机械刻刀相对水平移动,刮除掉所述透明导电层和CIGS吸收层的边缘。本发明方法采用刀刮的方式,利用机械刻刀恒力穿透,可以一次性刮掉透明导电层和CIGS吸收层的边缘,方法简单高效,成本低。 | ||
搜索关键词: | cigs 薄膜 太阳能电池 mo 方法 | ||
【主权项】:
一种CIGS薄膜太阳能电池留Mo清边的方法,其特征在于,包括:将待清边的电池放置工作台上;机械刻刀移动到待清边的位置上方;所述机械刻刀受恒力驱使下降并匀速穿透待清边的电池的透明导电层和CIGS吸收层,其中,所述恒力小于所述机械刻刀穿透所述待清边的电池的MO层所需的力;所受恒力持续输出,使得所述机械刻刀的刀头正好与所述MO层的表面接触;所述待清边的电池与所述机械刻刀相对水平移动,刮除掉所述透明导电层和CIGS吸收层的边缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的