[发明专利]半导体装置、估计寿命的设备和估计寿命的方法无效

专利信息
申请号: 201310389184.0 申请日: 2013-08-30
公开(公告)号: CN103715167A 公开(公告)日: 2014-04-09
发明(设计)人: 山寄优;广畑贤治 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/544;H01L25/16
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 贺月娇;杨晓光
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及半导体装置、估计寿命的设备和估计寿命的方法。根据一个实施例,一种半导体装置包括电路板、层叠在电路板上方的多个半导体芯片、第一和第二凸起、第三和第四凸起以及第一和第二检测单元。第一和第二凸起被设置在电路板与半导体芯片之间的空隙中或者两个半导体芯片之间的空隙中。第三凸起和第四凸起被设置在除了其中设置有所述第一和第二凸起的空隙之外的任何空隙中。第一检测单元电连接到第一凸起以检测第一凸起的破损并生成指示所述第一凸起的破损的第一信号。第二检测单元电连接到第三凸起以检测第三凸起的破损并生成指示第三凸起的破损的第二信号。
搜索关键词: 半导体 装置 估计 寿命 设备 方法
【主权项】:
一种半导体装置,包括:电路板;多个半导体芯片,其被层叠在所述电路板上方;第一凸起和第二凸起,其被设置在所述电路板与所述半导体芯片之间的空隙中或者两个半导体芯片之间的空隙中,所述第二凸起比所述第一凸起距离所述半导体芯片的周边部分更远;第三凸起和第四凸起,其被设置在包括所述电路板与所述半导体芯片之间的空隙以及两个半导体芯片之间的空隙的空隙当中的、除了其中设置有所述第一和第二凸起的空隙之外的任何空隙中,所述第四凸起比所述第三凸起距离所述半导体芯片的周边部分更远;第一检测单元,其被电连接到所述第一凸起以检测所述第一凸起的破损并生成指示所述第一凸起的破损的第一信号;以及第二检测单元,其被电连接到所述第三凸起以检测所述第三凸起的破损并生成指示所述第三凸起的破损的第二信号。
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