[发明专利]抗总剂量效应存储单元电路有效
| 申请号： | 201310398912.4 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN103489477A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 桑红石;王文;张天序;梁巢兵;张静;谢扬;袁雅婧 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗总剂量效应存储单元电路，全部由PMOS管构成，包括：第一、第二PMOS管，第三、第四PMOS管和第五、第六PMOS管；第一、第二PMOS管为上拉管，第三、第四PMOS管为读出访问管，第五、第六PMOS管为写入访问管。本发明的抗总剂量效应存储单元电路可自动实现抗总剂量效应加固，具有较小的存储单元面积，可用于抗辐射航空航天及嵌入式存储器等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 剂量 效应 存储 单元 电路 | ||
【主权项】：
一种抗总剂量效应存储单元电路，其特征在于，全部由PMOS管构成。
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