[发明专利]导电插塞的形成方法

摘要

一种导电插塞的形成方法，包括衬底上形成第一、二伪栅结构，包括栅介质层、栅介质层上的伪栅极，第一、二伪栅结构为SRAM单元的上拉晶体管中间结构；伪栅结构周围形成侧墙；之后，第一伪栅结构两侧形成第一源极、第一漏极，第二伪栅结构两侧形成第二源极、第二漏极，第一、二漏极位于第一、二伪栅结构之间；形成第一层间介质层，与伪栅极相平；去除伪栅极，形成金属栅极、第一、二栅极结构；形成第二层间介质层，覆盖第一层间介质层；第一、二层间介质层内形成第一、二通孔，第一、二通孔内的金属栅极顶部具有第一氧化层；采用第一刻蚀去除第一氧化层；之后，第一、二通孔内填充导电层形成导电插塞。采用本发明方法避免衬底处产生较大漏电流。

主权项

一种导电插塞的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成第一伪栅结构、第二伪栅结构，所述第一伪栅结构和所述第二伪栅结构包括栅介质层和位于所述栅介质层上的伪栅极，所述第一伪栅结构、第二伪栅结构作为SRAM单元的两个上拉晶体管的中间结构，所述两个上拉晶体管为PMOS晶体管；在所述第一伪栅结构周围形成第一侧墙，在所述第二伪栅结构周围形成第二侧墙；形成侧墙后，在所述第一伪栅结构两侧形成第一源极、第一漏极，在所述第二伪栅结构两侧形成第二源极、第二漏极，所述第一漏极、第二漏极位于所述第一伪栅结构和第二伪栅结构之间；形成第一层间介质层，与所述伪栅极相平；去除所述伪栅极，在所述第一层间介质层内形成栅极凹槽，在所述栅极凹槽处填充金属栅极，形成第一栅极结构和第二栅极结构；形成第二层间介质层，覆盖所述第一层间介质层和金属栅极；在所述第一层间介质层和所述第二层间介质层内形成第一通孔、第二通孔，所述第一通孔底部露出部分所述第一栅极结构、所述第二漏极和部分第一侧墙，所述第二通孔底部露出部分所述第二栅极结构、所述第一漏极和部分第二侧墙，所述第一通孔和第二通孔内的金属栅极顶部具有第一氧化层；采用第一刻蚀去除所述第一氧化层；去除所述第一氧化层后，在所述第一通孔和第二通孔内填充导电层形成导电插塞。