[发明专利]处理装置、制造处理液体的方法和制造电子器件的方法无效
| 申请号： | 201310401801.4 | 申请日： | 2013-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN103681414A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 平林英明;长岛祐次;平川雅章 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据一个实施方案，处理装置包括电解单元、碱添加单元和处理单元。所述电解单元包括阳极电极和阴极电极。所述电解单元经配置以含有不含金属的碱、盐酸和水的电解溶液。所述碱添加单元经配置以进一步将所述不含金属的碱添加到已经过电解的溶液。所述处理单元经配置以使用已经过电解且其中进一步添加所述不含金属的碱的溶液执行对将处理物体的处理。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 制造 液体 方法 电子器件 | ||
【主权项】：
一种处理装置，包含：电解单元，其包括阳极电极和阴极电极并且经配置以电解含有不含金属的碱、盐酸和水的溶液；碱添加单元，其经配置以进一步将所述不含金属的碱添加到已经过电解的溶液；和处理单元，其经配置以使用已经过电解并且其中进一步添加所述不含金属的碱的溶液执行对将处理物体的处理。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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