[发明专利]一种钌薄膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 201310405900.X 申请日: 2013-09-09
公开(公告)号: CN103474392A 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 张春敏;王鹏飞;张卫 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;C23C14/16;C23C14/54
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 陆飞;盛志范
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明属于集成电路铜互连工艺技术领域,具体涉及一种钌薄膜的制备方法。本发明方法包括利用等离子体增强原子层淀积工艺制备钌薄膜,再对所制得的钌薄膜进行高温退火处理。等离子体增强原子层淀积工艺可以在纳米级精确地控制钌薄膜的生长厚度,并且所制备的钌薄膜在大面积范围内具有好的均匀性,而高温退火工艺可以实现氧化钌向钌的转变,增加钌薄膜的纯度。本发明的钌薄膜的制备方法还可以减少钌薄膜的制备时间,降低时间成本。
搜索关键词: 一种 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种钌薄膜的制备方法,采用等离子体原子层淀积技术,其特征在于具体步骤为:(1)反应腔预先加热至225℃~275℃;将需要生长钌薄膜的基底放入反应腔中;(2)利用等离子体增强原子层淀积工艺制备钌薄膜,钌薄膜厚度由反应周期数控制;   (3)在氢气和氮气的混合气体氛围下对所制得的钌薄膜进行高温退火处理。
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