[发明专利]一种钌薄膜的制备方法无效
申请号: | 201310405900.X | 申请日: | 2013-09-09 |
公开(公告)号: | CN103474392A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 张春敏;王鹏飞;张卫 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;C23C14/16;C23C14/54 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于集成电路铜互连工艺技术领域,具体涉及一种钌薄膜的制备方法。本发明方法包括利用等离子体增强原子层淀积工艺制备钌薄膜,再对所制得的钌薄膜进行高温退火处理。等离子体增强原子层淀积工艺可以在纳米级精确地控制钌薄膜的生长厚度,并且所制备的钌薄膜在大面积范围内具有好的均匀性,而高温退火工艺可以实现氧化钌向钌的转变,增加钌薄膜的纯度。本发明的钌薄膜的制备方法还可以减少钌薄膜的制备时间,降低时间成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种钌薄膜的制备方法,采用等离子体原子层淀积技术,其特征在于具体步骤为:(1)反应腔预先加热至225℃~275℃;将需要生长钌薄膜的基底放入反应腔中;(2)利用等离子体增强原子层淀积工艺制备钌薄膜,钌薄膜厚度由反应周期数控制; (3)在氢气和氮气的混合气体氛围下对所制得的钌薄膜进行高温退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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