[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310407944.6 | 申请日： | 2013-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN104425442A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 陈美丽 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，其中，所述半导体器件包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的功能器件；形成于所述功能器件上的MIM电容器；其中，在所述功能器件和所述MIM电容器之间形成有一屏蔽层。在此，通过在功能器件和MIM电容器之间形成一屏蔽层，隔离所述功能器件与所述MIM电容器之间的相互干扰，由此既能够避免晶圆面积的浪费又能够使得可放置于MIM电容器下的功能器件不受限制。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的功能器件；形成于所述功能器件上的MIM电容器；其中，在所述功能器件和所述MIM电容器之间形成有一屏蔽层。
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