[发明专利]MOCVD自动控制器有效
申请号: | 201310408518.4 | 申请日: | 2013-09-10 |
公开(公告)号: | CN103451629A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 叶益修;邓顺达;林溪汉 | 申请(专利权)人: | 冠铨(山东)光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/18;C30B25/16 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 272000 山东省济宁市*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | MOCVD自动控制器,由权限控管模块、资料收集模块、控制接口、设备接口、外部控制器、MOCVD设备、命令执行模块、集成面板、程序控制模块组成,其特征是集成面板的一端上侧设置控制接口,控制接口的下侧设置设备接口,集成面板的一侧上部设置资料收集模块,集成面板的一侧下部设置程序控制模块,集成面板的另一侧上部设置权限控管模块,集成面板的另一侧下部设置命令执行模块,外部控制器通过馈线与控制接口相连接,MOCVD设备通过馈线与设备接口相连接,本发明的有益效果是MOCVD自动控制器开发成本较低,控制精度较高,系统控制的相关功能能够适应生产要求。 | ||
搜索关键词: | mocvd 自动 控制器 | ||
【主权项】:
MOCVD自动控制器,由权限控管模块(1)、资料收集模块(2)、控制接口(3)、设备接口(4)、外部控制器(5)、MOCVD设备(6)、命令执行模块(7)、集成面板(8)、程序控制模块(9)组成,其特征是集成面板(8)的一端上侧设置控制接口(3),控制接口(3)的下侧设置设备接口(4),集成面板(8)的一侧上部设置资料收集模块(2),集成面板(8)的一侧下部设置程序控制模块(9),集成面板(8)的另一侧上部设置权限控管模块(1),集成面板(8)的另一侧下部设置命令执行模块(7),外部控制器(5)通过馈线与控制接口(3)相连接,MOCVD设备(6)通过馈线与设备接口(4)相连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于冠铨(山东)光电科技有限公司,未经冠铨(山东)光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310408518.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:球形环密封件及其制造方法
- 下一篇:一种物流数码卡扣机
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的